Los métodos de detección de radiación utilizan los efectos de ésta sobre
la materia para saber su presencia y poder caracterizar el campo de radiación.
Existen varios tipos de detectores pero los más importantes son: los
centelladores y los de cristales semiconductores.
Los detectores de centelleo utilizan cristales (ej. NaI, CsI) o líquidos (soluciones de
cristales) para su
funcionamiento que se basa en la excitación de cristales que liberan la energía emitiendo
fotones de menor energía, pero proporcional al fotón que
incide en ellos (Knoll, 1989.215).
Este fotón de menor energía puede liberar electrones de metales por medio de efecto
fotoeléctrico. Estos electrones liberados son acelerados por medio de fuertes diferencias
de potencial hasta que colisionan con otros electrones en otra placa metálica
liberándolos de sus átomos. Estos electrones liberados son nuevamente acelerados
hacia otra placa metálica y repiten el efecto. Dicho proceso se repite
Figura 7.2:
Tubo fotomultiplicador
Fuente: (Knoll, 1989.252)
varias veces
en los dinodos (ver figura 7.2) que son las placas metálicas
colocadas a diferencias
de potencial
donde los electrones colisionan y se desaceleran. Al sistema en conjunto se la llama
fotomultiplicador por la función que realiza.
Lo que sale del fotomultiplicador es un pulso electrónico causado por todos los electrones
arrancados en los dinodos. El tamaño de dicho pulso está relacionado con la energía
del rayo que inició todo el proceso por lo que el pulso puede ser utilizado no
solo para determinar que hay rayos presentes en el medio sino también para estimar
la energía de estos.
Los detectores de cristales semiconductores utilizan las propiedades de los semiconductores
de poder ser aislantes y conductores según se desee. Un semiconductor es un material
que en condiciones normales no es un buen conductor de
electricidad debido a que tienen su última capa electrónica a medio llenar (4 de 8
electrones posibles) y pueden formar cristales de forma tal que todos los átomos
internos del cristal llenan su última capa electrónica.
Los semiconductores más apropiados son el germanio y el silicio con valencia 4. Como ya se
mencionó los cristales de semiconductores puros son aislantes, sin embargo, si se
añaden impurezas al cristal se pueden cambiar drásticamente sus propiedades
eléctricas. Al añadir átomos de valencia 5 en el proceso de cristalización de los semiconductores
habrán átomos en la estructura cristalina con un electrón libre, el cual hará que
el material se convierta en conductor. A esta clase de materiales se les llama tipo n.
Cuando se añaden átomos de valencia 3 al semiconductor, entonces no habrán
suficientes electrones en el cristal para llenar todas las nubes electrónicas de los
átomos y quedaran algunos huecos los que se comportan como cargas positivas libres
dentro del cristal y el material se convierte en conductor. A esta clase de materiales se les
llama tipo p.
Los efectos interesantes de los semiconductores aparecen cuando en el mismo cristal se forman
un material del tipo n en una mitad y de tipo p en la otra. Al aplicar una diferencia de
potencial al cristal tal que el menor potencial (negativo) se encuentre del lado tipo p y el
mayor potencial (positivo) del lado tipo n, las cargas positivas del tipo p se movilizarán
hacia el lado ``negativo'' de la diferencia de potencial y los electrones del tipo n hacia el
``positivo'' dejando la región intermedia del cristal sin ninguna carga libre por lo que el
cristal se comportará como un aislante. En estas condiciones se dice que el cristal
está polarizado en ``inversa''.
Al colocar la diferencia de potencial en forma contraria al cristal mencionado en el párrafo
anterior, es decir, el ``negativo'' en el tipo n y el ``positivo'' en el tipo p, las cargas
libres de ambos lados se moverán a través del cristal haciendo que se comporte
como un
conductor. En estas condiciones se dice que el cristal está polarizado en ``directa''.
Para construir un detector de rayos se utiliza un cristal con ``junturas'' de tipo n y
p para polarizarlo en inversa y tener una región aislante en medio bajo una diferencia de
potencial. A esta región se le llama zona de depleción.
Cuando un rayo incide en la zona de depleción del cristal, éste libera un
electrón por efecto fotoeléctrico. Si la diferencia de potencial en la zona de
depleción es grande, el electrón liberado se acelerará hacia la región tipo n
del cristal y en su camino arrancará otros electrones produciendo un pulso electrónico
al salir del cristal.
El tamaño del pulso, al igual que en los detectores de centelleo, está directamente
relacionado con la energía del rayo que incidió en el cristal de manera que es
posible determinar la energía del rayo .
Los detectores de cristales semiconductores se fabrican con combinaciones de Si-Li y
HpGe (germanio hiperpuro). Estos detectores funcionan a temperaturas alrededor de 70 K para
eliminar en su totalidad los electrones libres de la zona de depleción y utilizar
diferencias de potencial más elevadas (aprox. 3,000 V) con lo que el proceso de detección
se hace más eficiente.
Para analizar el pulso en forma eficiente son necesarios varios procesos de amplificación,
debido a que un solo amplificador distorsionaría el pulso por necesitar un factor de
amplificación muy grande y el proceso sería demasiado sensible a perturbaciones externas
como golpes en los cables.
Para evitar la introducción de perturbaciones a los pulsos por los cables, inmediatamente
después de que el pulso electrónico es generado en el cristal, éste se colecta y se
amplifica por un preamplificador que se encuentra dentro del detector. Luego sale del detector
por medio de cable coaxial y es nuevamente amplificado para ser enviado por cable coaxial al
sistema encargado de procesar los pulsos.
Los pulsos pueden ser procesados de diferentes formas según lo que se desee hacer. Si lo
que se necesita es solo contar el número de rayos que inciden en el detector se
utiliza un monocanal que cuenta cuantos pulsos se genera en un intervalo de tiempo dado
y que se encuentran dentro de un cierto rango de energía.
Si lo que se necesita es conocer no solo cuantos pulsos se generan sino también catalogarlos
por el tamaño de estos, entonces se utiliza un multicanal que subdivide el rango de
tamaño aceptable para los pulsos en un número determinado de ``canales''. Cuando llega un
pulso al multicanal esté mide su tamaño y lo cuenta con todos los pulsos que se encuentran
dentro del mismo rango de tamaño para ese canal.
Entonces el multicanal lo que hace es un histograma de frecuencia del tamaño de los pulsos
que llegan a éste. Como el tamaño del pulso generado en el detector está relacionado con la
energía del rayo que lo produjo, es posible hacer una correlación entre el
tamaño del pulso contra la energía del rayo que lo produjo, entonces el
histograma obtenido por el multicanal se convierte en un espectro de energía de los
rayos que incidieron en el detector.
El espectro de energía revela cuál es la energía y la intensidad de
los rayos que inciden en el detector y, por consiguiente, revela cuáles son los
elementos radiactivos presentes en el entorno que rodea al detector debido, como se
mencionó en el capítulo 1, a los rayos son característicos de cada núcleo.
Para la correlación mencionada, entre el tamaño del pulso y la energía del
rayo que lo produce es necesario calibrar experimentalmente el detector y toda la
electrónica asociada. Para ello se coloca cerca del detector una fuente radiactiva de
energía conocida y se ve el tamaño del pulso que genera.
El elemento radiactivo más usado para calibración es el Eu por tener una gran
cantidad de energías de emisión de rayos . En la tabla
(7.1) se muestran las
energías e intensidades de los rayos del
Eu.